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MOS集成电路时易被静电击穿时应留意的规则

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【摘要】:
(1).MOS器件出厂时通常装在玄色的导电泡沫塑料袋中,切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起,或用锡纸包装  (2).取出的MOS器件不能在塑料板上滑动,应用金属盘来盛放待用器件。  (3).焊接用的电烙铁必须良好接地。  (4).在焊接前应把电路板的电源线与地线短接,再MOS器件焊接完成后在分开。   (5).MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。 

(1). MOS器件出厂时通常装在玄色的导电泡沫塑料袋中,切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起,或用锡纸包装

 

 (2).取出的MOS器件不能在塑料板上滑动,应用金属盘来盛放待用器件。

 

 (3). 焊接用的电烙铁必须良好接地。

 

 (4). 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接,再MOS器件焊接完成后在分开。 

 

 (5). MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。

 

 (6).电路板在装机之前,要用接地的线夹子往碰一下机器的各接线端子,再把电路板接上往。

 

 (7). MOS场效应晶体管的栅极在答应条件下,最好接进保护二极管。在检验电路时应留意查证原有的保护二极管是否损坏。

 

 

 

   实际上说电流控制慢,电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的,以npn管射极跟随器为例,当基极加不加电压时,基区和发射区组成的pn结为阻止多子(基区为空穴,发射区为电子)的扩散运动,在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场(即内建电场),当基极外加正电压的指向为基区指向发射区,当基极外加电压产生的电场大于内建电场时,基区的载流子(电子)才有可能从基区流向发射区,此电压的最小值即pn结的正向导通电压(工程上一般认为0.7v)。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在,此时如果集电极-发射极加正电压,在电场作用下,发射区的电子往基区运动(实际上都是电子的反方向运动),由于基区宽度很小,电子很容易越过基区到达集电区,并与此处的PN的空穴复合(靠近集电极),为维持平衡,在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动,而空穴则为pn结处运动,此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极,这就是晶体管的工作原理。三极管工作时,两个pn结都会感应出电荷,当做开关管处于导通状态时,三极管处于饱和状态,如果这时三极管截至,pn结感应的电荷要恢复到平衡状态,这个过程需要时间。而mos三极管工作方式不同,没有这个恢复时间,因此可以用作高速开关管。

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